Azotek krzemu
|
| |||||||||||||||||||||||||||||
| Ogólne informacje | |||||||||||||||||||||||||||||
| Wzór sumaryczny |
Si3N4 | ||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Masa molowa |
140,28 g/mol | ||||||||||||||||||||||||||||
| Wygląd |
szary bezwonny proszek | ||||||||||||||||||||||||||||
| Identyfikacja | |||||||||||||||||||||||||||||
| Numer CAS | |||||||||||||||||||||||||||||
| PubChem | |||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||
| Podobne związki | |||||||||||||||||||||||||||||
| Podobne związki | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jeżeli nie podano inaczej, dane dotyczą stanu standardowego (25 °C, 1000 hPa) | |||||||||||||||||||||||||||||
Azotek krzemu (Si3N4) – nieorganiczny związek chemiczny, azotek pierwiastka krzemu na IV stopniu utlenienia.
Właściwości
Azotek krzemu ma stosunkowo niską gęstość, bardzo dużą odporność termiczną i chemiczną oraz twardość.
Zastosowania
Elektronika
Azotek krzemu jest wykorzystywany jako izolator i bariera chemiczna – przewyższa on w tym zastosowaniu SiO2. Stanowi dobrą barierę dla czynników, przed którymi nie chroni SiO2, na przykład jonów Na+ i H+ (mających szkodliwy wpływ na stabilność przyrządów półprzewodnikowych).
Najczęściej wytwarza się warstwę Si3N4 metodami chemicznymi: przez rozpylanie katodowe lub osadzanie z fazy lotnej. Do wad należą: trudności związane z obróbką fotochemiczną tych warstw i gorsze właściwości elektrofizyczne obszaru granicznego -Si niż SiO2.
Ceramika
Łożyska z ceramiki Si3N4 są stosowane w dyskach twardych.
Azotek krzemu jest składnikiem sialonu.
Przypisy
- ↑ Silicon nitride (nr 334103) – karta charakterystyki produktu Sigma-Aldrich (Merck) na obszar Polski.
- ↑ Department of Chemistry, The University of Akron: Silicon nitride. [dostęp 2012-03-02]. (ang.).
Bibliografia
- Wiesław Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Warszawa: WNT, 1987, s. 71, ISBN 83-204-0925-X, OCLC 749876743.