Przerwa energetyczna
Przerwa energetyczna, przerwa zabroniona[a], pasmo zabronione[b], symbol Eg[1][2], Wg[3] – zakres energii elektronów w ciele stałym cechujący się silnym rozpraszaniem elektronów na atomach, co sprawia, że w układzie nie ma elektronów o energii z tego przedziału.
Istnienie i szerokość przerwy energetycznej oraz położenie względem niej poziomu Fermiego ma podstawowe znaczenie dla właściwości półprzewodników. Jeżeli mieści się on w przerwie energetycznej, to układ w odpowiednio niskiej temperaturze jest izolatorem. Własności układu w wyższych temperaturach zależą od szerokości przerwy i położenia poziomu Fermiego.
| Materiał | Wzór/symbol | Eg [eV] w 300 K |
|---|---|---|
| arsenek glinu | AlAs | 2,16 |
| azotek glinu | AlN | 6,2 |
| fosforek glinu | AlP | 2,45 |
| antymonek glinu | AlSb | 1,6 |
| diament | C | 5,5 |
| siarczek kadmu | CdS | 2,42 |
| selenek kadmu | CdSe | 1,73 |
| tellurek kadmu | CdTe | 1,49 |
| arsenek galu | GaAs | 1,43 |
| azotek galu | GaN | 3,4 |
| fosforek galu | GaP | 2,26 |
| siarczek galu | GaS | 2,5 (w 295 K) |
| antymonek galu | GaSb | 0,726 |
| german | Ge | 0,67 |
| arsenek indu | InAs | 0,36 |
| fosforek indu | InP | 1,35 |
| siarczek ołowiu(II) | PbS | 0,37 |
| selenek ołowiu | PbSe | 0,27 |
| tellurek ołowiu(II) | PbTe | 0,29 |
| krzem | Si | 1,11 |
| węglik krzemu | SiC | 2,86 |
| tlenek tytanu(IV) | TiO2 | 3,0-3,2 |
| siarczek cynku | ZnS | 3,6 |
| selenek cynku | ZnSe | 2,7 |
| tellurek cynku | ZnTe | 2,25 |
Uwagi
Przypisy
- ↑ Jarosław Tatarczak, Jarosław Sikora. Konwersja energii słonecznej w elektryczną z wykorzystaniem fotonowo wzmocnionej termoemisji elektronowej. „Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska I Architektury”, s. 491 i 492, lipiec-wrzesień 2016. DOI: 10.7862/rb.2016.232.
- ↑ Ewa Płaczek-Popko: Spektroskopia defektów metastabilnych. Centra DX w Cd1–xMnxTe. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2004, s. 8. ISBN 83-7085-815-5.
- ↑ Ryszard Kacprzyk: Wybrane zagadnienia badań ładunku i jego zaniku w dielektrykach stałych. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2004, s. 11.
- ↑ Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee: Solid State Electronic Devices. Wyd. 5. New Jersey: Prentice Hall, 2000, s. 524. ISBN 0-13-025538-6.